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NTD4808N, NVD4808N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
2000
T J = 25 ° C
5
Q T
1500
C iss
4
Q 1
Q 2
3
1000
2
500
0
0
5
10
C oss
C rss
15
20
25
1
0
0
1
2
V DD = 15 V
V GS = 4.5 V
I D = 30 A
T J = 25 ° C
3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
Figure 8. Gate ? To ? Source and Drain ? To ? Source
Voltage vs. Total Charge
100
10
t r
t d(off)
30
25
20
15
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
t d(on)
10
1
1
t f
10
V DD = 15 V
I D = 30 A
V GS = 11.5 V
100
5
0
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 9. Resistive Switching Time
Variation vs. Gate Resistance
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
1000
100
V GS = 20 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
10 m s
100
90
80
70
I D = 17 A
60
100 m s
50
10
1 ms
40
30
1
0.1
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
1
10
10 ms
dc
100
20
10
0
50
75
100 125
150
175
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
5
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
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